Sustrato de encapsulado de circuitos integrados (CI) PCB: Ingeniería de precisión para encapsulado de semiconductores de misión crítica
"¿Cansado de las oscilaciones de impedancia y la deformación por reflujo del 10%? La mayoría de los talleres de PCB afirman que pueden trabajar con sustratos de circuitos integrados. Luego llegan las muestras: las pistas parecen dientes de sierra y las placas de 0,2 mm salen del horno con el aspecto de patatas fritas.
No nos limitamos a fabricar sustratos para circuitos integrados. Ofrecemos trazas con verticalidad y planitud que resisten tensiones de 260 °C. Si su silicio merece una calidad superior a la de una PCB estándar, hablemos de las especificaciones.
Sustrato de encapsulado de circuitos integrados (CI) PCB: Ingeniería de precisión para encapsulado de semiconductores de misión crítica
En el mundo de los semiconductores, el margen de error es nulo. Un sustrato no es solo un soporte; es la columna vertebral eléctrica y térmica del silicio. Si el sustrato se deforma incluso 20 micras durante el reflujo, o si la impedancia se desvía 7%, todo el lote es basura.
Entendemos lo que está en juego. En nuestras instalaciones, no solo fabricamos sustratos de CI.
Dominio técnico y capacidades
Nos centramos en Basado en BT y Acumulación de ABF sustratos, utilizando MSAP (Proceso Semiaditivo Modificado) para ampliar los límites de la densidad de trazas.
Métricas clave de rendimiento
Parámetro
Capacidades (grado de producción)
Ancho de línea/Espaciado (L/S)
15 μm / 15 μm (controlado estrictamente mediante LDI)
Estructura de vía en almohadilla
Completamente relleno de cobre, planarizado, hoyuelo < 5 μm
Espesor del sustrato
Opciones ultrafinas de 0,10 mm a 0,40 mm
Control de deformación
< 0,05 mm por 100 mm (post-reflujo)
Material de base
Resina BT auténtica de Mitsubishi Gas Chemical (MGC)
Por qué los ingenieros confían en nuestro taller
1. Eliminando la "Pesadilla de Warpage""
En el caso de los sustratos ultrafinos de SiP y FCCSP, la deformación es la principal causa de fallas en el ensamblaje SMT.
Nuestro enfoque: No solo utilizamos ciclos de prensado estándar. Usamos laminación al vacío compensada y análisis de distribución simétrica de cobre durante la etapa DFM.
El resultado: Nuestros sustratos mantienen la planitud a través de múltiples ciclos de reflujo sin plomo a 260 °C, lo que garantiza un ensamblaje de alto rendimiento para sus procesos de chip invertido o unión de cables.
2. Integridad de la señal: más allá de la hoja de datos
Una tolerancia de impedancia de ±10% ya no es suficiente para 5G o la computación de alta velocidad.
Nuestro enfoque: Mediante el uso Tecnología MSAP En lugar del grabado sustractivo tradicional, logramos paredes laterales de trazas verticales. Esto minimiza el "efecto pelicular" y mantiene la desviación de impedancia dentro de... ±5%.
Evidencia directa: Cada lote se envía con un informe de prueba TDR (reflectometría de dominio de tiempo) que confirma la consistencia de la señal en todas las redes críticas.
3. Confiabilidad certificada por datos, no solo por promesas
Operamos una Sala limpia ISO Clase 5 porque incluso una partícula de polvo de 5 μm puede provocar un cortocircuito catastrófico en un diseño con un paso de 20 μm.
100% AOI + AVI: Cada capa se escanea mediante inspección óptica automatizada (AOI), seguida de una inspección visual automatizada (AVI) para eliminar el error humano en el control de calidad final.
Trazabilidad: Cada panel está marcado con láser con una identificación única, lo que proporciona una trazabilidad completa hasta el lote de materia prima y el turno específico que lo procesó.
Caso práctico: SiP HDI de 6 capas para tecnología portátil
El desafío:
Una marca líder de wearables necesitaba integrar un controlador BT/BLE y más de 50 componentes en un área de 12 x 12 mm. El diseño requería... 0,22 mm de espesor total Con trazas de 20 μm. La mayoría de las tiendas lo rechazaron debido al riesgo extremo de deformación excesiva.
Nuestra ejecución:
Selección de materiales: Usado ultrafino Núcleo BT HL832NS por su bajo CTE (Coeficiente de Expansión Térmica).
Innovación de procesos: Se implementó una sistema portador controlado por tensión para evitar la distorsión del núcleo delgado durante las líneas de enchapado horizontales.
Validación: Se realizaron 1.000 horas de HAST imparcial (130 °C/85% RH) para demostrar la resistencia del aislamiento a largo plazo.
El resultado:
El proyecto pasó de NPI a producción en masa en 22 días. El rendimiento del ensamblaje final en las instalaciones del cliente se estabilizó en 99.5%, reduciendo significativamente su costo total de propiedad.
Comience su revisión de ingeniería
No solo cotizamos precios; revisamos los archivos para asegurar su fabricación. Suba sus archivos Gerber (RS-274X) u ODB++ y nuestros ingenieros le proporcionarán... Informe de comentarios de DFM en 24 horas.
Plazo de entrega estándar: 7-10 días laborables para prototipos.
Cumplimiento: Cumple con las normas RoHS, REACH, UL y IATF 16949.
